FEATURES

Verriegelungssicher

3.5 pF Off-Source-Kapazität

Aus-Drain-Kapazität

ADG5206: 64 pF

0,35 pC typische Ladungsinjektion

±0,02 nA Leckage am Kanal

Niedriger Einschaltwiderstand: 155 Ω typisch

±9 V bis ±22 V Dual-Supply-Betrieb

9 V bis 40 V Single-Supply-Betrieb

VSS bis VDD analoger Signalbereich

Human Body Model (HBM) ESD-Bewertung

ADG5206: 8 kV alle Pins

 

ANWENDUNGEN

Automatische Testgeräte

Datenerfassung

Instrumentierung

Avionik

Batterieüberwachung

Kommunikationssysteme

 

ALLGEMEINE BESCHREIBUNG

Der ADG5206 und der ADG5207 sind monolithische CMOS-Analogmultiplexer mit 16 Einzelkanälen bzw. 8 Differenzkanälen. Der ADG5206 schaltet einen von sechzehn Eingängen auf einen gemeinsamen Ausgang, der durch die 4-Bit-Binäradressleitungen A0, A1, A2 und A3 bestimmt wird.

Ein EN-Eingang an beiden Geräten aktiviert oder deaktiviert das Gerät. Wenn EN niedrig ist, wird der Baustein deaktiviert und alle Kanäle werden abgeschaltet. Die ultraniedrige Kapazität und die Ladungsinjektion dieser Schalter machen sie zu idealen Lösungen für Datenerfassungs- und Sample-and-Hold-Anwendungen, bei denen ein geringer Glitch und ein schnelles Einschwingen erforderlich sind. Dank der schnellen Schaltgeschwindigkeit und der hohen Signalbandbreite eignen sich diese Bausteine auch zum Schalten von Videosignalen.

Jeder Schalter leitet in beide Richtungen gleich gut, wenn er eingeschaltet ist, und jeder Schalter hat einen Eingangssignalbereich, der bis zu den Stromversorgungen reicht. Im ausgeschalteten Zustand sind die Signalpegel bis zu den Netzteilen blockiert.

Der ADG5206/ADG5207 hat keine VL-Pins; stattdessen erzeugt ein On-Chip-Spannungsgenerator intern die logische Stromversorgung.

PRODUKT-HIGHLIGHTS

  1. Trench-Isolation schützt vor Latch-Up. Ein dielektrischer Graben trennt die P- und N-Kanal-Transistoren, um selbst unter schweren Überspannungsbedingungen ein Einrasten zu verhindern.
  2. Optimales Schalterdesign für geringe Ladungsinjektion, niedrige Schalterkapazität und geringe Leckströme.
  3. Der ADG5206 erreicht eine HBM-ESD-Spezifikation von 8 kV an allen externen Pins, während der ADG5207 8 kV an den Pins von I/O-Port zu Versorgung, 2 kV an den Pins von I/O-Port zu I/O-Port und 8 kV an allen anderen Pins erreicht.
  4. Dual-Supply-Betrieb. Für Anwendungen, bei denen das Analogsignal bipolar ist, kann der ADG5206/ADG5207 mit zwei Versorgungsspannungen von bis zu ±22 V betrieben werden.
  5. Single-Supply-Betrieb. Für Anwendungen, bei denen das analoge Signal unipolar ist, kann der ADG5206/ADG5207 mit einer Single-Rail-Spannungsversorgung von bis zu 40 V betrieben werden.

 

ABSOLUTE HÖCHSTWERTE

TA = 25°C, sofern nicht anders angegeben.

Belastungen, die über den unter Absolute Maximalwerte aufgeführten Werten liegen, können zu dauerhaften Schäden am Gerät führen. Dies ist nur eine Belastungsangabe; die Funktion des Geräts unter diesen oder anderen Bedingungen, die über die im Abschnitt "Betrieb" dieser Spezifikation angegebenen hinausgehen, wird nicht vorausgesetzt. Wenn Sie das Gerät über einen längeren Zeitraum den Bedingungen der absoluten Höchstwerte aussetzen, kann dies die Zuverlässigkeit des Geräts beeinträchtigen.

 

ANWENDUNGSINFORMATIONEN

Die ADG52xx-Familie von Schaltern und Multiplexern bietet eine robuste Lösung für die Instrumentierung, die Industrie, die Automobilbranche, die Luft- und Raumfahrt und andere raue Umgebungen, die anfällig für Latch-up sind. Dabei handelt es sich um einen unerwünschten Hochstromzustand, der zum Ausfall des Geräts führen kann und so lange anhält, bis die Stromversorgung abgeschaltet wird. Die Hochspannungsschalter ADG5206/ADG5207 ermöglichen den Betrieb mit einer Versorgungsspannung von 9 V bis 40 V und den Betrieb mit zwei Versorgungsspannungen von ±9 V bis ±22 V.

 

GRABENISOLIERUNG

Beim ADG5206/ADG5207 befindet sich eine isolierende Oxidschicht (Trench) zwischen den NMOS- und den PMOS-Transistoren jedes CMOS-Schalters. Parasitäre Übergänge, die zwischen den Transistoren in übergangsisolierten Schaltern auftreten, werden dadurch eliminiert, und das Ergebnis ist ein vollständig latch-up-sicherer Schalter.

Bei der Sperrschichtisolierung bilden die N- und P-Wells der PMOS- und NMOS-Transistoren eine Diode, die im Normalbetrieb in Sperrichtung vorgespannt ist. Bei Überspannung kann diese Diode jedoch in Durchlassrichtung vorgespannt werden. Die beiden Transistoren bilden eine Schaltung vom Typ Siliziumgesteuerter Gleichrichter (SCR), die eine erhebliche Stromverstärkung verursacht, die wiederum zu einem Latch-up führt. Bei der Trench-Isolation wird diese Diode entfernt und das Ergebnis ist ein latchup-sicherer Schalter.