CARACTERÍSTICAS
A prueba de enganches
3,5 pF capacitancia de fuente desactivada
Capacidad de drenaje desactivada
ADG5206: 64 pF
0,35 pC inyección de carga típica
±0,02 nA en fuga de canal
Resistencia de encendido baja: 155 Ω típica
Funcionamiento con doble alimentación de ±9 V a ±22 V
Funcionamiento de alimentación única de 9 V a 40 V
Rango de señal analógica de VSS a VDD
Clasificación ESD del modelo de cuerpo humano (HBM)
ADG5206: 8 kV todos los pines
APLICACIONES
Equipos de ensayo automáticos
Adquisición de datos
Instrumentación
Aviónica
Control de la batería
Sistemas de comunicación
DESCRIPCIÓN GENERAL
Los ADG5206 y ADG5207 son multiplexores analógicos CMOS monolíticos que comprenden 16 canales simples y 8 canales diferenciales, respectivamente. El ADG5206 conmuta una de las dieciséis entradas a una salida común, según lo determinado por las líneas de dirección binaria de 4 bits, A0, A1, A2 y A3.
Una entrada EN en ambos dispositivos activa o desactiva el dispositivo. Cuando EN está a nivel bajo, el dispositivo se desactiva y todos los canales se apagan. La capacitancia ultrabaja y la inyección de carga de estos conmutadores los convierten en soluciones ideales para aplicaciones de adquisición de datos y muestreo y retención, en las que se requiere un bajo glitch y una rápida estabilización. La rápida velocidad de conmutación junto con el gran ancho de banda de la señal hacen que estos dispositivos sean adecuados para la conmutación de señales de vídeo.
Cada conmutador conduce por igual en ambas direcciones cuando está encendido, y cada conmutador tiene un rango de señal de entrada que se extiende hasta las fuentes de alimentación. En estado desactivado, los niveles de señal hasta las fuentes están bloqueados.
El ADG5206/ADG5207 no tiene pines VL; en su lugar, un generador de voltaje en chip genera internamente la fuente de alimentación lógica.
PRODUCTOS DESTACADOS
- El aislamiento de la zanja evita el bloqueo. Una zanja dieléctrica separa los transistores de los canales P y N para evitar el enclavamiento incluso en condiciones de sobretensión severa.
- Diseño óptimo del interruptor para una baja inyección de carga, baja capacitancia del interruptor y bajas corrientes de fuga.
- El ADG5206 alcanza una especificación ESD de 8 kV HBM en todos los pines externos, mientras que el ADG5207 alcanza 8 kV en los pines de puerto de E/S a alimentación, 2 kV en los pines de puerto de E/S a puerto de E/S y 8 kV en todos los demás pines.
- Funcionamiento con doble alimentación. Para aplicaciones en las que la señal analógica es bipolar, el ADG5206/ADG5207 puede funcionar con alimentación doble de hasta ±22 V.
- Funcionamiento con una sola fuente de alimentación. Para aplicaciones en las que la señal analógica es unipolar, el ADG5206/ADG5207 puede funcionar con una sola fuente de alimentación de hasta 40 V.
VALORES MÁXIMOS ABSOLUTOS
TA = 25°C, a menos que se indique lo contrario.
Las tensiones superiores a las indicadas en Valores máximos absolutos pueden provocar daños permanentes en el dispositivo. Se trata únicamente de un valor nominal de tensión; el funcionamiento del dispositivo en estas condiciones o en cualquier otra por encima de las indicadas en la sección de funcionamiento de esta especificación no está implícito. La exposición a las condiciones máximas absolutas durante periodos prolongados puede afectar a la fiabilidad del dispositivo.
INFORMACIÓN SOBRE APLICACIONES
La familia ADG52xx de conmutadores y multiplexores proporciona una solución robusta para instrumentación, industria, automoción, aeroespacial y otros entornos adversos propensos al latch-up, que es un estado indeseable de alta corriente que puede provocar el fallo del dispositivo y persistir hasta que se apaga la fuente de alimentación. Los interruptores de alto voltaje ADG5206/ADG5207 permiten el funcionamiento con alimentación única de 9 V a 40 V y con alimentación doble de ±9 V a ±22 V.
AISLAMIENTO DE ZANJAS
En el ADG5206/ADG5207, se coloca una capa de óxido aislante (zanja) entre los transistores NMOS y PMOS de cada conmutador CMOS. Se eliminan las uniones parásitas que se producen entre los transistores en los conmutadores aislados por unión, y el resultado es un conmutador completamente a prueba de latch-up.
En el aislamiento de la unión, los pozos N y P de los transistores PMOS y NMOS forman un diodo con polarización inversa en condiciones normales de funcionamiento. Sin embargo, en condiciones de sobretensión, este diodo puede polarizarse hacia delante. Los dos transistores forman un circuito de tipo rectificador controlado de silicio (SCR), lo que provoca una amplificación significativa de la corriente que, a su vez, conduce al latch-up. Con el aislamiento de zanja, se elimina este diodo y el resultado es un interruptor a prueba de latch-up.