CARACTERÍSTICAS
Rango de atenuación: Pasos de 0,5 dB (LSB) a 31,5 dB ±0,5 dB de error de paso típico
Baja pérdida de inserción: 2,8 dB a 4 GHz
Alta linealidad a VEE = -3 V
Entrada P0.1dB: 22 dBm típico
IP3 de entrada: 45 dBm típico
Alta potencia de entrada de RF: 25 dBm máximo
Fase relativa baja: 30° típico a 6,0 GHz
Funcionamiento con una sola fuente de alimentación: -3 V a -5 V
Encapsulado LFCSP de 16 terminales, 3 mm × 3 mm
APLICACIONES
Infraestructura celular
Radios de microondas y terminales de muy pequeña apertura (VSAT)
Equipos de prueba y sensores
Diseños de frecuencia intermedia (FI) y RF
Militar y espacial
DESCRIPCIÓN GENERAL
El HMC424ALP3E es un atenuador digital de banda ancha, 6 bits, de arseniuro de galio (GaAs), en encapsulado de montaje superficial sin plomo de bajo coste, con un rango de control de atenuación de 31,5 dB en pasos de 0,5 dB.
El HMC424ALP3E ofrece una excelente precisión de atenuación de ±(0,2 dB + 4% de estado de atenuación) y una alta linealidad de entrada con una pérdida de inserción típica inferior a 4 dB en el rango de frecuencias especificado de 0,1 GHz a 13,0 GHz. Los valores de bit del atenuador son 0,5 dB (LSB), 1 dB, 2 dB, 4 dB, 8 dB y 16 dB para una atenuación total de 31,5 dB con un error de paso típico de ±0,5 dB.
El dispositivo permite al usuario programar el estado de atenuación mediante seis entradas de control paralelas que alternan entre 0 V y VEE.
El HMC424ALP3E funciona con una única tensión de alimentación negativa de -3 V a -5 V, y requiere un desplazador de nivel externo para interactuar con una interfaz lógica CMOS/transistor a transistor (TTL).
El HMC424ALP3E se presenta en un compacto encapsulado a escala de chip con marco de plomo (LFCSP) de 16 terminales y 3 mm × 3 mm que cumple la directiva RoHS.
TEORÍA DE FUNCIONAMIENTO
El HMC424ALP3E incorpora un dado atenuador de 6 bits que ofrece un rango de atenuación de 31,5 dB en pasos de 0,5 dB. El estado de atenuación se cambia mediante las entradas de tensión de control en paralelo (V1 a V6) directamente.
El HMC424ALP3E permite al usuario programar el estado de atenuación a través de seis entradas de control paralelas conmutadas entre 0 V y VEE. Cuando se interconecta con una interfaz TTL/CMOS, se requiere un conmutador de nivel externo. Por ejemplo, un controlador sencillo que utilice circuitos integrados lógicos estándar proporciona una conmutación rápida a la vez que utiliza una corriente continua mínima. La resistencia en serie se recomienda para suprimir señales RF no deseadas en la entrada de las líneas de control V1 a V6.
FUENTE DE ALIMENTACIÓN
El HMC424ALP3E requiere una única tensión continua aplicada al
VEE. La secuencia ideal de encendido es la siguiente:
1.Conecte la referencia de tierra.
2.Aplique una tensión de alimentación a la patilla VEE.
3.Encienda las entradas de control digital. El orden relativo de las entradas de control digital no es importante.
4.Aplique una señal de entrada RF a RFIN.
ENTRADA Y SALIDA DE RF
El atenuador del HMC424ALP3E es bidireccional. Los pines RFIN y RFOUT son intercambiables como los puertos de entrada y salida de RF. El atenuador se adapta internamente a 50 Ω tanto en la entrada como en la salida. Por lo tanto, no se requieren componentes de adaptación externos.
Los pines de entrada y salida de RF del HMC424ALP3E están internamente polarizados en CC a 0 V. Por lo tanto, requieren condensadores externos de bloqueo de CC si el potencial de la línea de RF no es igual a 0 V. Seleccione el valor de estos condensadores de bloqueo de CC en función de la frecuencia mínima de funcionamiento. Utilice condensadores de mayor valor para ampliar el funcionamiento a frecuencias más bajas.
INFORMACIÓN SOBRE APLICACIONES
TRIBUNAL DE EVALUACIÓN
El HMC424ALP3E utiliza una placa de evaluación de 4 capas. El espesor del cobre es de 0,5 oz (0,7 mil) en cada capa. El material dieléctrico superior es Rogers RO4350 de 10 mil para un rendimiento óptimo de alta frecuencia, mientras que los materiales dieléctricos medio e inferior son materiales de tipo FR4 para lograr un espesor total de la placa de 62 mil. Las trazas de RF se colocan en la capa superior de cobre, y la capa inferior es un plano conectado a tierra que proporciona una tierra sólida para las líneas de transmisión de RF. Las líneas de transmisión de RF se diseñan utilizando un modelo de guía de ondas coplanar (CPWG) con una anchura de 16 mil y una separación de tierra de 13 mil para tener una impedancia característica de 50 Ω. Para mejorar la puesta a tierra térmica y de RF, se han dispuesto tantas vías pasantes chapadas como sea posible alrededor de las líneas de transmisión y debajo de la almohadilla expuesta del encapsulado.