Descripción

Este dispositivo es un traductor de nivel no inversor de 8 bits que utiliza dos carriles de alimentación configurables por separado. El puerto A sigue el VCCA tensión de alimentación. La tensión VCCA acepta cualquier tensión de alimentación entre 1,4V y 3,6V. El puerto B rastrea la tensión VCCB tensión de alimentación. La tensión VCCB acepta cualquier tensión de alimentación entre 1,65V y 5,5V. Los dos pines de alimentación de entrada permiten la traslación bidireccional de baja tensión entre cualquiera de los nodos de tensión de 1,5V, 1,8V, 2,5V, 3,3V y 5V.
Cuando la entrada de habilitación de salida (OE) está a nivel bajo, todas las salidas pasan al estado de alta impedancia (Hi-Z).
Para poner el dispositivo en estado Hi-Z durante los periodos de encendido o apagado, conecte OE a GND a través de una resistencia pulldown. La capacidad de suministro de corriente del controlador determina el valor mínimo de la resistencia.

 

Características

- No necesita señal de control de dirección
- Velocidad máxima de transmisión de datos:
-110Mbps (push pull)
-1,2 Mbps (drenaje abierto)
- 1,4 V a 3,6 V en el puerto A y 1,65 V a 5,5 V en el puerto B (VCCA ≤ VCCB)
- No es necesario secuenciar la alimentación: VCCA o VCCB se puede aumentar primero
- Latch-up superior a 100 mA según JESD 78, clase II
- La protección ESD supera la norma JESD 22 (puerto A):
-Modelo de cuerpo humano de 2000 V (A114-B)
-150 V Modelo de máquina (A115-A)
-1000 V Modelo de dispositivo cargado (C101)
- IEC 61000-4-2 ESD (puerto B):
-± 8kV Descarga de contacto
-± 6kV Descarga de aire

 

Aplicaciones

- Teléfonos
- Teléfonos inteligentes
- Tabletas
- Ordenadores de sobremesa

 

Visión general

El dispositivo TXS0108E es un traductor de nivel de tensión sin dirección diseñado específicamente para traducir niveles de tensión lógicos. El puerto A acepta tensiones de E/S de 1,4 V a 3,6 V. El puerto B acepta tensiones de E/S de 1,65 V a 5,5 V. El dispositivo utiliza una arquitectura de puerta de paso con aceleradores de velocidad de flanco (one shots) para mejorar la velocidad de datos global. Las resistencias de pull-up, utilizadas habitualmente en aplicaciones de drenaje abierto, se han integrado convenientemente para que no sea necesaria una resistencia externa. Aunque este dispositivo está diseñado para aplicaciones de drenaje abierto, también puede traducir salidas lógicas CMOS push-pull.

 

Consideraciones sobre la carga de salida

TI recomienda unas prácticas de diseño de PCB cuidadosas con longitudes de traza de PCB cortas para evitar una carga capacitiva excesiva y para que se produzca un disparo único adecuado. Las longitudes de las trazas de señal de la placa de circuito impreso deben ser lo suficientemente cortas como para que el retardo de ida y vuelta de cualquier reflexión sea inferior a la duración del disparo único. Esto mejora la integridad de la señal al permitir que cualquier reflexión vea una baja impedancia en el conductor. Los circuitos de disparo único se han diseñado para permanecer encendidos durante aproximadamente 30 ns. La capacitancia máxima de la carga que puede ser accionada también depende directamente de la duración del disparo. Con cargas capacitivas muy pesadas, el one-shot puede agotarse antes de que la señal sea conducida completamente al carril positivo. La duración del disparo único se ha ajustado para optimizar la compensación entre ICCy la velocidad binaria máxima. Tanto la longitud de la traza de la placa de circuito impreso como los conectores aumentan la capacitancia de la salida del TXS0108E. Por lo tanto, TI recomienda que se tenga en cuenta esta capacitancia de carga global para evitar el reencendido de un disparo, la contención del bus, las oscilaciones de la señal de salida u otros efectos adversos a nivel del sistema.

 

Resistencias pull-up o pull-down en líneas de E/S

El TXS0108E tiene las resistencias pull-up inteligentes que cambian dinámicamente de valor en función de si un bajo o un alto se está pasando a través de la línea de E / S. Cada puerto A de E/S tiene una resistencia de pull-up (RPUA) a VCCA y cada puerto B de E/S tiene una resistencia de pull-up (RPUB) a VCCB. RPUA y RPUB tienen un valor de 40kΩ cuando la salida se conduce a bajo. RPUA y RPUB tienen un valor de 4kΩ cuando la salida se conduce a alto. RPUA y RPUB se desactivan cuando OE = Low. Esta característica proporciona un menor consumo de energía estática (cuando las E/S están pasando a bajo), y soporta VOL para el mismo tamaño de transistor de compuerta pasante, y ayuda a mejorar el rendimiento de la conmutación simultánea.

 

Modos funcionales del dispositivo

El dispositivo TXS0108E tiene dos modos funcionales, activado y desactivado. Para desactivar el dispositivo, ajuste la entrada del pin OE a bajo, lo que coloca todas las E/S en un estado de alta impedancia. Si se pone el pin OE a nivel alto, se activa el dispositivo.