ОПИСАНИЕ

LTM4632 - это ультратонкий трехвыводной понижающий регулятор мощности μ-модуля (модуля питания), который представляет собой комплексное решение для питания DDR-QDR4 SRAM. Работая от входного напряжения 3,6...15 В, LTM4632 поддерживает две выходные шины ±3A, как сток, так и исток, для VDDQ и VTT, а также малошумящий опорный выход VTTR на 10 мА. Обе дорожки VTT и VTTR равны VDDQ/2. Размещенные в корпусах LGA 6,25 мм × 6,25 мм × 1,82 мм и BGA 6,25 мм × 6,25 мм × 2,42 мм, LTM4632 включают контроллер переключения, силовые ТЭНы, индуктивности и вспомогательные компоненты. В качестве альтернативы силовой μ-модуль может быть сконфигурирован как двухфазный с одним выходом ±6A VTT. Для завершения конструкции требуется лишь несколько керамических входных и выходных конденсаторов.

LTM4632 поддерживает выбор режима Burst Mode (только CH1) и отслеживание выходного напряжения для последовательного подключения к шине питания. Высокая частота переключения и управление токовым режимом обеспечивают очень быструю переходную реакцию на изменения в сети и нагрузке без ущерба для стабильности.

Функции защиты от неисправностей включают защиту от перенапряжения на входе, перегрузки по току и перегрева.

LTM4632 выпускается с клеммным исполнением SnPb (BGA) или в соответствии с требованиями RoHS.

 

ОСОБЕННОСТИ

Полное решение для питания DDR-QDR4 SRAM, включая VDDQ, VTT, VTTR (или VREF)

Решение в 0,5 см2 (двухсторонняя печатная плата)

Широкий диапазон входного напряжения: 3,6 - 15 В

Вход 3,3 В совместим с VIN, подключенным к INTVCC

Диапазон выходного напряжения от 0,6 В до 2,5 В

Двойной выходной ток постоянного тока ±3A с возможностью подачи и снятия напряжения

±1,5%, ±10мА Буферизованный выход VTTR = VDDQ/2

3A VDDQ + 3A VTT или двухфазный одиночный 6A VTT

±1,5% Максимальная суммарная ошибка регулирования выходного напряжения под нагрузкой, в линии и при температуре

Управление в режиме тока, быстрая переходная характеристика

Внешняя синхронизация частоты

Многофазное распараллеливание с разделением тока

Выбираемый режим Burst Mode®

Защита от перенапряжения на входе и перегрева

Индикатор исправности питания

Ультратонкие корпуса LGA 6,25 мм × 6,25 мм × 1,82 мм и BGA 6,25 мм × 6,25 мм × 2,42 мм

 

ПРИЛОЖЕНИЯ

Блок питания для памяти DDR

Преобразование в точку нагрузки общего назначения

Телекоммуникационное, сетевое и промышленное оборудование

 

ОПЕРАЦИЯ

LTM4632 - это двухвыводной автономный неизолированный DC/DC источник питания с переключаемым режимом работы, предназначенный для питания памяти DDR-QDR4 SRAM и оконечной шины. Он может обеспечить две выходные шины, которые могут как потреблять, так и отдавать постоянный ток 3 А с небольшим количеством внешних входных и выходных керамических конденсаторов, а также буферизованное опорное напряжение VTTR (VREF) на 10 мА, равное половине напряжения VDDQIN.

Два или более выходов модуля могут быть легко запараллелены для получения одного выхода VTT с более высокими возможностями по току стока и источника. До 8 фаз могут быть запараллелены для одновременной работы с хорошим распределением тока, гарантированным контуром управления токовым режимом.

Этот модуль обеспечивает точно регулируемое выходное напряжение (VOUT1), программируемое с помощью одного внешнего резистора от 0,6 В до 2,5 В в диапазоне входного напряжения от 3,6 В до 15 В. При привязке INTVCC к VIN этот модуль может работать от входного напряжения 3,3 В.

В LTM4632 встроен двойной регулятор тока с постоянным временем включения, силовые МОП-транзисторы, индуктивность и другие вспомогательные дискретные компоненты. Типичная частота переключения внутренне установлена на 1 МГц. Для приложений, чувствительных к шуму при переключении, μ-модуль может быть внешне синхронизирован с тактовым генератором в пределах ±30% от установленной частоты.

Благодаря управлению в токовом режиме и внутренней компенсации контура обратной связи LTM4632 обладает достаточным запасом устойчивости и хорошими переходными характеристиками при широком диапазоне выходных конденсаторов, даже при использовании всех керамических выходных конденсаторов.

Управление токовым режимом обеспечивает циклическое быстрое ограничение тока. Внутренние компараторы перенапряжения и пониженного напряжения понижают уровень на выходе PGOOD с открытым затвором, если выходное напряжение обратной связи выходит за пределы окна ±8% вокруг точки регулирования. Кроме того, для защиты внутренних устройств используется защита от перенапряжения на входе, отключающая оба силовых МОП-транзистора при повышении напряжения VIN выше 17,5 В.

При подтягивании вывода RUN ниже 1 В контроллер переходит в состояние выключения, выключая оба силовых MOSFET и большинство внутренних схем управления. При малых токах нагрузки для достижения более высокой эффективности по сравнению с режимом непрерывного тока (CCM) можно включить режим Burst Mode, установив вывод MODE в положение INTVCC. Вывод TRACK/SS используется для отслеживания источника питания и программирования плавного пуска.