Описание:

CY15B104Q - это 4-Мбит энергонезависимая память, в которой используется передовой ферроэлектрический процесс. Ферроэлектрическая память с произвольным доступом или F-RAM является энергонезависимой и выполняет операции чтения и записи аналогично оперативной памяти. Она обеспечивает надежное хранение данных в течение 151 года, устраняя при этом сложности, накладные расходы и проблемы надежности на уровне системы, возникающие при использовании последовательной флэш-памяти, EEPROM и других энергонезависимых запоминающих устройств.

В отличие от последовательной флэш-памяти и EEPROM, CY15B104Q выполняет операции записи на скорости шины. Задержки при записи отсутствуют. Данные записываются в массив памяти сразу после успешной передачи каждого байта в устройство. Следующий цикл шины может начинаться без необходимости опроса данных. Кроме того, устройство обладает значительной выносливостью при записи по сравнению с другими энергонезависимыми памятью. CY15B104Q способна поддерживать 1014 циклов чтения/записи, что в 100 миллионов раз больше циклов записи, чем у EEPROM.

Эти возможности делают CY15B104Q идеальным решением для приложений с энергонезависимой памятью, требующих частой или быстрой записи. Примеры могут быть самыми разными: от сбора данных, где количество циклов записи может быть критичным, до сложных промышленных систем управления, где длительное время записи последовательной флэш-памяти или EEPROM может привести к потере данных.

CY15B104Q предоставляет существенные преимущества пользователям последовательной EEPROM или флэш-памяти в качестве аппаратной замены. CY15B104Q использует высокоскоростную шину SPI, что повышает возможности высокоскоростной записи технологии F-RAM. В устройство встроен идентификатор устройства, доступный только для чтения, который позволяет хосту определить производителя, плотность и ревизию продукта. Технические характеристики устройства гарантированы в промышленном диапазоне температур -40 °C до +85 °C.

 

Характеристики：

4-Мбитная ферроэлектрическая память с произвольным доступом (F-RAM), логически организованная как 512 K × 8
Высокая стойкость 100 триллионов (1014) операций чтения/записи
151 год хранения данных
NoDelay™ пишет
Передовой высоконадежный ферроэлектрический процесс

Очень быстрый последовательный периферийный интерфейс (SPI)
Частота до 40 МГц
Прямая аппаратная замена последовательной флэш-памяти и EEPROM
Поддерживает режим SPI 0 (0, 0) и режим 3 (1, 1)

Продуманная схема защиты от записи
Аппаратная защита с помощью вывода Write Protect (WP)
Программная защита с помощью инструкции Write Disable
Программная защита блоков для 1/4, 1/2 или всего массива

Идентификатор производителя и идентификатор продукта

Низкое энергопотребление
300 mАктивный ток на частоте 1 МГц
100 mA (typ) ток в режиме ожидания
3 mA (typ) ток в спящем режиме

Работа при пониженном напряжении: VDD = 2,0 В - 3,6 В
Промышленная температура: -40 °C до +85 °C

Соответствует требованиям по ограничению содержания вредных веществ (RoHS)

 

Приложения:

Совершенно новый образ жизни и здоровый образ жизни для современных подключенных граждан
Потребительская электроника
Космические приложения

 

Обзор

CY15B104Q представляет собой последовательную память F-RAM. Массив памяти логически организован как 524 288 × 8 бит, а доступ к нему осуществляется через стандартную для отрасли шину последовательного периферийного интерфейса (SPI). Функциональная работа F-RAM аналогична работе последовательных флэш-памятей и последовательных EEPROM. Основное отличие CY15B104Q от последовательной флэш-памяти или EEPROM с той же распиновкой заключается в превосходной производительности записи, высокой долговечности и низком энергопотреблении F-RAM.

 

Архитектура памяти

При обращении к CY15B104Q пользователь адресует 512K мест по восемь битов данных в каждом. Эти восемь битов данных последовательно сдвигаются внутрь или наружу. Доступ к адресам осуществляется по протоколу SPI, который включает в себя выбор чипа (для разрешения работы нескольких устройств на шине), опкод и трехбайтовый адрес. Старшие 5 бит диапазона адресов являются значениями "безразлично". Полный адрес, состоящий из 19 бит, однозначно определяет адрес каждого байта. Большинство функций CY15B104Q либо управляются интерфейсом SPI, либо выполняются встроенной схемой. Время доступа к памяти практически равно нулю, помимо времени, необходимого для работы последовательного протокола. То есть чтение или запись в память происходит на скорости шины SPI. В отличие от последовательной флэш-памяти или EEPROM, нет необходимости опрашивать устройство на предмет готовности, поскольку запись происходит на скорости шины. К тому моменту, когда новая транзакция шины может быть передана в устройство, операция записи уже завершена. Более подробно это описано в разделе "Интерфейс".